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【技術(shù)帖】Bypass帶你探索省電之旅

2023-12-11

自1991年索尼公司推出第一款商用鋰離子電池,電子設(shè)備和移動(dòng)科技行業(yè)發(fā)生了革命性的變化。鋰電池不僅使移動(dòng)電話、筆記本電腦等電子設(shè)備變得更加輕薄便攜,同時(shí)也推動(dòng)了電動(dòng)交通的發(fā)展。

以智能手機(jī)為例,現(xiàn)代智能手機(jī)的性能已經(jīng)接近甚至超越了部分筆記本電腦,但是體積卻不足筆記本電腦的十分之一。高性能帶給我們流暢的用戶體驗(yàn),但背后是日益增長(zhǎng)的電量需求。鋰電池技術(shù)發(fā)展到今天也達(dá)到了瓶頸,如何進(jìn)一步提高能量密度,在有限的體積中儲(chǔ)存更多的能量是未來(lái)需要突破的課題。

我們知道電池在能量傳輸?shù)倪^(guò)程中是存在損耗的,轉(zhuǎn)化效率越高,相同容量的電池可使用時(shí)間越長(zhǎng)?;谶@個(gè)想法,我們嘗試從電池負(fù)載端著手,看看如何提高電池利用率。

在手機(jī)內(nèi)部眾多電源管理器件中,Buck轉(zhuǎn)換器因其高轉(zhuǎn)換效率、小體積而被廣泛應(yīng)用。 

下面我們來(lái)看一下Buck電路的基本構(gòu)成。


圖 1 Buck基本電路


如圖所示,一個(gè)基本的Buck電路由M1、M2兩個(gè)MOS管,電感L和電容C兩個(gè)儲(chǔ)能元件構(gòu)成。Buck電路本質(zhì)上是利用電感的伏秒平衡特性,通過(guò)控制兩個(gè)MOS管以一定的周期交替開(kāi)關(guān),來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)換和能量的傳輸。根據(jù)伏秒定律可以得到如下公式:

VON:M1導(dǎo)通、M2關(guān)斷期間,電感L兩端壓降
TON:M1導(dǎo)通時(shí)間
VOFF:M1關(guān)斷、M2導(dǎo)通期間,電感L兩端壓降
TOFF:M2導(dǎo)通時(shí)間
對(duì)以上公式進(jìn)行轉(zhuǎn)化后可以得到Buck輸出電壓和輸入電壓的關(guān)系:

其中D稱為占空比,根據(jù)定義有:

由公式(2)可知占空比由輸入和輸出電壓決定,由公式(3)可知,驅(qū)動(dòng)電路可以通過(guò)控制M1、M2的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間來(lái)調(diào)節(jié)占空比。下圖所示是相同輸出電壓,不同輸入電壓時(shí)對(duì)應(yīng)的Buck開(kāi)關(guān)波形。


圖 2 不同轉(zhuǎn)化比占空比對(duì)比


可以看到,當(dāng)輸出電壓固定,隨著輸入電壓下降,驅(qū)動(dòng)器控制M1導(dǎo)通時(shí)間增加,M2導(dǎo)通時(shí)間減小,從而將占空比逐步增大,以此來(lái)維持輸出電壓不變。假設(shè)占空比固定不變,當(dāng)輸入電壓降低,輸出電壓隨之降低。
我們知道鋰電池電壓會(huì)隨著電量的釋放逐漸降低。如果電池后級(jí)Buck的占空比受到限制,那意味著隨著電量降低,Buck的輸出電壓將緩慢下降,后級(jí)負(fù)載為了維持正常工作需要從電池獲得更大的負(fù)載電流,這樣一來(lái),Buck的轉(zhuǎn)換效率嚴(yán)重下降,電池電量很快就會(huì)消耗殆盡。
那Buck的占空比為何會(huì)受到限制,又有什么方法可以突破限制呢?帶著這個(gè)疑問(wèn),我們來(lái)分析下面這個(gè)Buck電路。


圖 3 雙NMOS Buck結(jié)構(gòu)


圖示為某Buck電路內(nèi)部功能框圖中的功率級(jí)部分。開(kāi)關(guān)管M1、M2均為NMOS,當(dāng)M1導(dǎo)通時(shí),M1的源極也就是SW的電壓等于電源電壓VIN,這意味著M1的柵極電壓必須要高于VIN,M1才能導(dǎo)通,而對(duì)于Buck來(lái)說(shuō),系統(tǒng)最高電壓就是VIN。為了得到高于VIN的柵極電壓,需要外接一個(gè)電容CB在BOOT和SW之間,這個(gè)電容稱為自舉電容。
現(xiàn)在我們來(lái)分析下BOOT引腳上的電壓。TOFF期間M1關(guān)斷,M2導(dǎo)通,CB充電至VREG;TON期間M1導(dǎo)通,M2關(guān)斷,CB兩端電壓保持不變,但BOOT電壓等于VIN+VREG,至此M1柵極電壓高于VIN,M1得以正常導(dǎo)通。
由于BOOT電容的存在,BOOT電容需要在TOFF期間補(bǔ)充能量,因此TOFF至少需要維持一個(gè)最小的時(shí)間保證CB處于滿電狀態(tài),這意味著雙NMOS結(jié)構(gòu)無(wú)法做到100%占空比。

是否有辦法做到100%占空比?答案是肯定的。我們來(lái)看下艾為電子推出的AW37430 5V3A Buck轉(zhuǎn)換器給出的解決方案。




圖 4 AW37430 功能框圖


為了讓電路能夠達(dá)到100%占空比,AW37430采用了P+N的方案,即M1使用PMOS,M2采用NMOS,如紅色框內(nèi)所示。M1源極電壓為VIN,對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō),柵極只需要提供一個(gè)低于VIN的電壓即可導(dǎo)通,這在Buck電路中很好實(shí)現(xiàn)。由于不存在BOOT電容,無(wú)需保留最小TON時(shí)間,因此,當(dāng)輸入電壓下降,占空比不會(huì)受到限制,輸出電壓也可以穩(wěn)定在設(shè)定值。

由于采用了P+N支持100%占空比的設(shè)計(jì),AW37430可以顯著提高低輸入電壓下的轉(zhuǎn)換效率。采用AW37430的系統(tǒng)設(shè)計(jì)將在續(xù)航方面優(yōu)勢(shì)明顯。

高負(fù)載下的轉(zhuǎn)換效率固然重要,待機(jī)功耗也是提升續(xù)航的一個(gè)重要方面。試想人在外面手機(jī)還剩5%電量而身邊找不到充電器時(shí)你會(huì)怎么做?打開(kāi)手機(jī)省電模式或者關(guān)機(jī),堅(jiān)持到家后立馬充電,這期間很容易錯(cuò)過(guò)重要電話或信息。

艾為電子推出的具有Bypass功能的AW37431很好的解決了這個(gè)問(wèn)題。它可以在電池電壓下降到設(shè)定閾值時(shí)強(qiáng)制進(jìn)入100%占空比模式,同時(shí)僅保留內(nèi)部基準(zhǔn)和比較器工作,使得Bypass時(shí)待機(jī)功耗小于10μA。低電量進(jìn)入100%占空比提高轉(zhuǎn)換效率,Bypass關(guān)閉不需要的模塊降低待機(jī)功耗,雙管齊下讓低電量不再成為困擾。

AW37431上電時(shí)序與Bypass觸發(fā)機(jī)制如下圖所示。



圖 5 AW37431 上電時(shí)序與Bypass觸發(fā)機(jī)制


T1:輸入電壓上升超過(guò)UVLO+閾值后,內(nèi)部軟啟動(dòng)電路工作,輸出電壓開(kāi)始上升;
T2:軟啟動(dòng)完成,并且輸入電壓仍低于VIN_bypass+,進(jìn)入100% duty模式,輸出電壓隨輸入電壓上升;
T3:當(dāng)輸出電壓上升至VIN_bypass+,系統(tǒng)退出100% duty模式,輸出電壓下降并維持在設(shè)定值;
T4:當(dāng)輸入電壓下降至VIN_bypass-,系統(tǒng)進(jìn)入100% duty模式,輸出電壓跟隨輸入電壓下降;
T5:當(dāng)輸入電壓下降至UVLO-閾值后,內(nèi)部泄放管打開(kāi),輸出電壓快速下降至0。
了解了AW37431的Bypass功能,我們來(lái)看下實(shí)際應(yīng)用中AW37431對(duì)續(xù)航的提升有多少。
我們以常見(jiàn)的4000mAh電池容量的手機(jī)為例,分別對(duì)比下搭載了1顆普通雙NMOS結(jié)構(gòu)的Buck和1顆AW37431的放電曲線。假設(shè)手機(jī)還剩5%電量,對(duì)應(yīng)容量為200mAh。按照搭載普通雙NMOS Buck(靜態(tài)功耗400μA)的手機(jī)待機(jī)功耗按照4mA計(jì)算,那么理論待機(jī)時(shí)長(zhǎng)為50h。如果替換為AW37431(靜態(tài)功耗10μA),手機(jī)待機(jī)功耗降低至3.61mA,那么理論待機(jī)時(shí)長(zhǎng)將提升至55h,相當(dāng)于增加了5h續(xù)航時(shí)間。如下圖所示。


圖 6 低電量待機(jī)時(shí)間對(duì)比


由此可見(jiàn),搭載了Bypass功能后,低電量下手機(jī)續(xù)航得到明顯提升。

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