中文A：如果開啟了鎖存功能，那么中斷被觸發(fā)時(shí)，則會(huì)保存下當(dāng)前觸發(fā)中斷的狀態(tài)，直到讀0x00和0x01寄存器才會(huì)進(jìn)入下一次鎖存。
A：AW95016A的IO口狀態(tài)改變是在ACK沿變化后160ns左右進(jìn)行的變化的。
局部放大圖如下：
1、Sensor貼片結(jié)構(gòu)問題導(dǎo)致按壓產(chǎn)生負(fù)向信號(hào):
結(jié)構(gòu)異常，導(dǎo)致按壓產(chǎn)生對(duì)sensor負(fù)向的外力，形成負(fù)向信號(hào)。
(結(jié)構(gòu)異常導(dǎo)致的負(fù)向信號(hào)，一般可以在重新上電初始化校準(zhǔn)恢復(fù)，但不排除會(huì)因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)不穩(wěn)定再次導(dǎo)致異常)
2、 壓感芯片的AINNX輸入腳短接導(dǎo)致按壓產(chǎn)生負(fù)向信號(hào):
壓感的信號(hào)量是由圖中AINP0與AINN0電壓差經(jīng)過AFE模擬前端轉(zhuǎn)換而來。
① 若負(fù)向電壓輸入端短接到VS0(如下圖紅色箭頭)：
輸入壓感芯片處理的電壓差=AINP0-AINN0，此時(shí)由于AINN0腳短接到VS0，所以輸入壓感芯片的電壓差為AINP0-AINN0= (-1/2) VS0，電壓差經(jīng)過AFE模擬前端后，輸出的信號(hào)量為-8192。
② 若正向電壓輸入端短接到GND(如下圖紅色箭頭)：
輸入壓感芯片處理的電壓差=AINP0-AINN0，此時(shí)由于AINP0腳短接到GND，所以輸入壓感芯片的電壓差為AINP0-AINN0= (-1/2) VS0，電壓差經(jīng)過AFE模擬前端后，輸出的信號(hào)量為-8192。
(AINPX或AINNX短接導(dǎo)致出現(xiàn)的負(fù)向信號(hào)，一般重新上電初始化也無法恢復(fù))
A：
測(cè)試環(huán)境：
（1）歐盟認(rèn)證機(jī)構(gòu)中的PD協(xié)議測(cè)試儀器 + 支持PD協(xié)議快充的整機(jī)
（2）在PD協(xié)議中的TEST.PD.PORT.ALL3.8 Get Revision Response測(cè)試項(xiàng)內(nèi)會(huì)校驗(yàn)PD（AW35615）芯片的Revision message。
報(bào)錯(cuò)如下：Revision message校驗(yàn)失敗
原因：VIF中配置的版本信息和驅(qū)動(dòng)中不一致
解決方案：VIF文件中和驅(qū)動(dòng)中的Revision Message保持一致；即VIF中的Revision Message從3114改為3118
A：整機(jī)使用模擬PA，底噪大，排查步驟如下：
1、查看Codec和PA規(guī)格書，根據(jù)理論計(jì)算看底噪是否符合預(yù)期；
理論計(jì)算公式為：輸出底噪=
2、排查音源問題，確認(rèn)測(cè)試音源是完全靜音的音源；
3、找一臺(tái)之前沒問題的機(jī)器，排除測(cè)試環(huán)境問題，環(huán)境有50hz工頻干擾時(shí)會(huì)導(dǎo)致底噪測(cè)試值變大。
如下圖1為環(huán)境正常時(shí)的FFT圖形，圖2為環(huán)境有50hz及其倍頻干擾時(shí)的FFT圖形，圖2環(huán)境下測(cè)試的底噪會(huì)偏大；
圖1
圖2
4、摘掉PA VON、VOP輸出上的磁珠或電阻，在靠近PA位置飛線，測(cè)試底噪，排除后端TVS、磁珠、FPC干擾等問題；
5、在INN/INP輸入電容前端飛線，測(cè)試Codec輸出底噪，看是否符合Codec規(guī)格書；
6、用短線將INN和INP輸入電容短接，測(cè)試PA本體噪聲，看是否符合PA規(guī)格書。
A：整機(jī)使用數(shù)字PA，底噪大，排查步驟如下：
1、查看對(duì)應(yīng)PA規(guī)格書，理論上整機(jī)底噪約等于數(shù)字PA本體底噪，看是否符合預(yù)期；
2、排查音源問題，確認(rèn)測(cè)試音源是完全靜音的音源，數(shù)字PA建議使用32bit音源測(cè)試；
3、找一臺(tái)之前沒問題的機(jī)器，排除測(cè)試環(huán)境問題，環(huán)境有50hz工頻干擾時(shí)會(huì)導(dǎo)致底噪測(cè)試值變大。
如下圖1為環(huán)境正常時(shí)的FFT圖形，圖2為環(huán)境有50hz及其倍頻干擾時(shí)的FFT圖形，圖2環(huán)境下測(cè)試的底噪會(huì)偏大；
圖1
圖2
4、摘掉PA VON、VOP輸出上的磁珠或電阻，在靠近PA位置飛線，測(cè)試底噪，排除后端TVS、磁珠、FPC干擾等問題；
5、飛線WCK/BCK/DataO（平臺(tái)端）三根信號(hào)線，用AP數(shù)字模塊測(cè)試Codec I2S輸出的噪聲，整機(jī)播放靜音音源時(shí)，平臺(tái)輸出的也是靜音音源。
A：?jiǎn)为?dú)一個(gè)IO口的最大驅(qū)動(dòng)電流是30mA，要求整個(gè)IC電流輸出不能超過200mA。
A：由于串聯(lián)電阻會(huì)影響IO的驅(qū)動(dòng)能力，因此不建議外接電阻。
A：如果開啟了鎖存功能，那么中斷被觸發(fā)時(shí)，則會(huì)保存下當(dāng)前觸發(fā)中斷的狀態(tài)，直到讀0x00和0x01寄存器才會(huì)進(jìn)入下一次鎖存。
A：查看步驟如下：
1、 adb root
2、 adb remount
3、 adb shell
4、 cd /sys/bus/i2c/drivers/ ——進(jìn)入艾為smartpa節(jié)點(diǎn)文件目錄
5、 cd aw8xxxx_pa ——進(jìn)入到對(duì)應(yīng)PA的驅(qū)動(dòng)位置，例：aw88xxx_smartpa或aw873xx_pa
6、 ls ——打開當(dāng)前文件夾，查看PA寄存器的地址
7、 cd 4-0034 ——找到到PA當(dāng)前的地址，例：地址為4-0034，4為I2C總線地址，0034為芯片I2C地址，進(jìn)入到當(dāng)前地址
8、 整機(jī)播放音樂或通話，使PA處于工作狀態(tài)
9、 cat profile ——讀取當(dāng)前場(chǎng)景調(diào)用的PA參數(shù)
如下圖，PA配置13個(gè)場(chǎng)景，箭頭所指的即為當(dāng)前場(chǎng)景調(diào)用的PA參數(shù)，當(dāng)前調(diào)用Music參數(shù)
A：白平衡校準(zhǔn)：通過調(diào)整紅、綠、藍(lán)三個(gè)基色的光強(qiáng)（即電流大?。┍壤Ｊ筊GB燈珠達(dá)到一個(gè)合適的平衡狀態(tài)，從而呈現(xiàn)出準(zhǔn)確的白色。
AW21036和AW21024通過WBR,WBG,WBB三個(gè)寄存器實(shí)現(xiàn)三組LED燈的白平衡設(shè)置。
WBR用于控制第(1，4，7，….，34)LED燈；WBG用于控制第(2，5，8，….，35)LED燈；WBB用于控制第(3，6，9，….，36)LED燈。可以根據(jù)效果需要調(diào)整這三個(gè)寄存器的值，默認(rèn)是0xff。
A: USB PD2.0、3.0、3.1主要區(qū)別如下表所示：
A：
場(chǎng)景一、客戶項(xiàng)目主控芯片+客戶燈板
步驟：
（1）調(diào)試通信接口，通過讀芯片CHIPID來判斷通信是否正常；例如通過讀AW20216S的CHIPID來判斷SPI通信
（2）按照點(diǎn)亮流程將所有燈全部點(diǎn)亮；例如軟件應(yīng)用文檔《DG_AW20216S_Software_Design_Guide_CN_V1.1》中寫的ALL leds常亮模式
（3）觀察燈板上所有燈的情況。
場(chǎng)景二、demo主控芯片飛線+客戶燈板
步驟：
（1）按照demo使用說明介紹，找到通信接口；例如，找到AW20216 EVB V1.1上的SPI通信口
（2）選擇靠近主控端口的排針；
（3）將通信接口和燈板用杜邦線連接；
（4）使用UI工具點(diǎn)亮所有燈；
（5）觀察燈板上所有燈的情況。
A： 一般來說，重載的時(shí)候，工作在CCM模式，紋波?。欢p載的時(shí)候，是工作在DCM模式，效率高，但是紋波會(huì)變大；
通過根據(jù)輸出電壓來決定工作模式，取決于關(guān)注效率還是紋波，如果對(duì)紋波有要求，就設(shè)定一個(gè)閾值，高于閾值工作在CCM模式，低于閾值工作在DCM的切換；
AW37428 可以通過電壓值來設(shè)定工作模式
02寄存器bit0配置是自動(dòng)模式還是固定CCM模式
09寄存器配置電壓切換點(diǎn)
A：VIN->VOUT
VOUT->VIN (OTG模式)
A：
1. EN引腳控制：此引腳用于決定芯片的工作模式及開關(guān)狀態(tài)。具體操作如下：
（1）Auto模式：在上電初期，將ENN管腳置低，即可讓芯片進(jìn)入Auto模式。在此模式下，一旦檢測(cè)到IN有供電，ENN自動(dòng)拉低，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部開關(guān)的使能（即Charger模式下的正向?qū)ǎ?。RXN內(nèi)部默認(rèn)拉高，關(guān)閉Wireless Receiver模塊。反之，如需斷開IN至OUT間的連接，只需將ENN管腳置高即可。
（2）Slave模式：有兩種途徑進(jìn)入Slave模式：一是上電之初，直接拉高ENN管腳；二是先置于Auto模式后再將其拉高。在此模式下，系統(tǒng)的主控單元通過ENN信號(hào)高低變化控制芯片的開通和關(guān)斷。無論是Charger模式還是OTG模式（反向?qū)ǎ宰裱瑯拥脑瓌t——ENN拉低使能，芯片內(nèi)開關(guān)導(dǎo)通；ENN拉高則開關(guān)斷開。
2. 輔助模式切換引腳
（1）RXN引腳：主要用于配合ENN引腳管理USB與Wireless Receiver的電源供給關(guān)系。在Charger模式（正向?qū)ǎ┲校珽NN拉低時(shí)，RXN被內(nèi)部拉高，使得Wireless Receiver模塊禁用；而在ENN拉高的情況下，RXN翻轉(zhuǎn)為低電平，啟用Wireless Receiver模塊，從而通過無線方式進(jìn)行傳輸。
（2）FLAGN引腳：當(dāng)IN接到OTG負(fù)載且OUT端已有電源時(shí)，通過拉低FLAGN引腳可以使芯片進(jìn)入OTG模式（反向?qū)ǎ?，允許后級(jí)電源為IN端接的OTG負(fù)載提供電力供應(yīng)。此外，F(xiàn)LAGN的狀態(tài)還需結(jié)合ENN和系統(tǒng)需求共同確定，確保正確的OTG模式觸發(fā)與控制。
綜上所述，通過對(duì)AW32102CSR芯片上的ENN、RXN以及FLAGN等引腳施加特定電平信號(hào)，即可靈活控制內(nèi)置背靠背MOS管的開關(guān)狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)在不同工作模式（包括但不限于Charger模式、OTG模式）下的正向/反向?qū)ㄅc截止，滿足多樣化的電源管理和路徑切換需求。這些控制過程緊密依賴于系統(tǒng)指令與當(dāng)前電源環(huán)境狀況，確保了芯片工作的高效穩(wěn)定性和安全性。
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